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IPA093N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA093N06N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:43 A

Rds On-漏源导通电阻:9.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:36 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:33 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:16.15 mm

长度:10.65 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.85 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:51 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPA093N06N3GXKSA1 IPA93N6N3GXK SP000451088

单位重量:6 g

供应商IPA093N06N3 G
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPA093N06N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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IPA093N06N3 GMOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO483.10 Kbytes共9页IPA093N06N3 G的PDF下载地址
IPA093N06N3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):43A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 34uA 漏源导通电阻:9.3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO499.68 Kbytes共9页IPA093N06N3 G的PDF下载地址
IPA093N06N3 G的全球分销商及价格
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IPA093N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:¥4.38
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IPA093N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 31:¥7.9891
10:¥6.8365
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500:¥4.6443
1,000:¥3.6612
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IPA093N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS1000+:¥4.381+:¥8.12
10+:¥6.49
100+:¥5
500+:¥4.41
1000+:¥4.32
2500+:¥3.97
10000+:¥3.87
25000+:¥3.79
50000+:¥3.81
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IPA093N06N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):43A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 34uA 漏源导通电阻:9.3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W(Tc) 类型:N沟道1+:¥5.99
200+:¥2.32
500+:¥2.24
1000+:¥2.2